半导体电阻率测试仪的技术参数

半导体电阻率测试仪的技术参数

半导体电阻率测试仪是专用于各种半导体材料包括:片状硅料、晶体、晶体等的电阻率测定的设备,测定范围:0.01-199.99欧姆厘米，是生产厂家硅料分选测试的理想工具。半导体电阻率测试仪采用国际通用的电流、电压四端子测量法（两个电流和电压电极同时和样品接触），可以消除电极与导线导通电阻产生的误差，克服了传统的二端测量粉末电阻率仪器的弊病，可以真实地、准确地测量出粉末样品的电阻率，因此重复性好。半导体电阻率测试仪测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，进行各种分析。半导体电阻率测试仪技术参数：电源：220V交流可测晶片直径（大）Ф100mm,方形230×220mm恒流源：电流量程为0.01～1mA连续可调，误差≦±0.5%。数字电压表：量程：0.1～200mV,大分辨率：100μV电阻率显示：三位半数字显示：小数点、极性、过载、自动显示0.01-199.99欧姆。厘米输入抗阻：0.2mV和2mV量程：＞108Ω测量精度：±0.1。大电阻测量误差（按JJG508-87进行）：0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω≤±5%读数±2个字。重掺检测误差（JJG508-87进行）：1Ω≤±1%、0.5Ω≤±0.5%、0.1Ω≤±0.1%测量环境：温度23±2℃，相对湿度≤65%