导电结构体及其制造方法与流程

导电结构体及其制造方法与流程

背景技术：通常，根据信号检测类型，触摸屏面板可以如下分类。换言之，可以分为在施加直流电压时通过电流或电压值的变化检测被压力按压的位置的电阻型；在施加交流电压时利用电容耦合的电容型；在施加磁场时根据电压变化检测选定位置的电磁型，等等。近来，随着对大面积触摸屏面板的需求的增加，需要开发能够实现具有优异可视性(visibility)同时降低电极电阻的大型触摸屏面板的技术。

技术实现要素：技术问题在本领域中，需要开发用于改善各种类型的触摸屏面板的性能的技术。技术方案本申请的一个示例性实施方案提供一种导电结构体的制造方法，包括：在基板上形成金属层，以及在所述金属层上形成暗化层，其中，所述暗化层的形成通过使用CO2的反应溅射来进行。本发明的另一示例性实施方案提供一种导电结构体的制造方法，包括：在基板上形成暗化层，以及在所述暗化层上形成金属层，其中，所述暗化层的形成通过使用CO2的反应溅射来进行。本发明的另一示例性实施方案提供一种通过所述导电结构体的制造方法制造的导电结构体。本发明的再一示例性实施方案提供一种导电结构体，包括：基板；设置在所述基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一个表面上的暗化层，其中，所述暗化层包含(CuOx)aCb，x在0<x≤1的范围内，a+b＝1，b在0<b≤0.1的范围内。本发明的又一示例性实施方案提供一种包括所述导电结构体的电子装置。有益效果根据本申请的示例性实施方案的导电结构体不影响导电图案的导电性，并且通过改善吸光度，可以防止由导电图案引起的反射并且改善导电图案的遮蔽性(concealment)。此外，在根据本申请的示例性实施方案的导电结构体中，暗化层利用使用CO2的反应溅射来形成，结果，与现有技术中暗化层利用使用O2的反应溅射来形成的情况相比，可以通过抑制高温变性来提供一种稳定的暗化层，并且即使在沉积速率方面也可以提供一种改进的工艺。另外，使用根据本发明的示例性实施方案的导电结构体，可以开发具有改善的可视性的电子装置，如触摸屏面板、显示装置和太阳能电池。附图说明图1至图3是分别示意性地示出根据本申请的一个示例性实施方案的包括暗化层的导电结构体的层压结构；图4是示出根据本发明的示例性实施方案的实施例1和比较例1中的导电结构体在热处理之前和之后的反射率随着CO2反应气体或O2反应气体的分压比(％)的变化的图；图5是示出根据本发明的一个示例性实施方案的通过使用CO2的反应溅射而形成的暗化层的组成分布的图；图6是示出现有技术中通过使用O2的反应溅射而形成的暗化层的组成分布的图。<附图标记>100：基板200：暗化层220：暗化层300：金属层具体实施方式下文中，将更详细地描述本发明。在本申请中，显示装置统称地指TV、计算机显示器等，并且包括形成图像的显示元件和支撑显示元件的壳体。作为显示元件，可以例示为等离子显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴线管(CRT)、OLED显示器等。在显示元件中，可以设置用于呈现图像的RGB像素图案和附加滤光器。同时，关于显示装置，随着智能手机、平板PC、IPTV等的普及加速，对在没有单独的输入设备(如键盘或遥控器)的情况下将人手变为直接输入设备的触摸功能的需求逐渐增加。此外，需要能够书写的多点触摸功能和特定点识别。目前商业化的大多数触摸屏面板(TSP)以透明导电ITO薄膜为基础，但是在应用于大面积触摸屏面板时，具有如下问题：由于由ITO透明电极本身相对较高的表面电阻(小为150Ω/□(Ω/square)，由NittoDenkoCorporation制造的ELECRYSTA产品)引起的RC延迟，使得触摸识别速度降低，为了克服这种问题，需要引入附加的补偿芯片。本发明人研究了用金属精细图案替代透明ITO薄膜的技术。结果，本发明人发现，在使用具有较高导电性的金属薄膜作为用于触摸屏面板的电极的情况下，当应用具有特定形状的精细电极图案时，在高反射率引起的可视性方面，由于对外部光的较高的反射率、雾度值等，会产生图案被人眼很好地观察到以及眩目的问题。此外，在制造过程中，本发明人发现，在许多情况下目标值昂贵或者过程复杂。另外，在使用金属细线作为透明电极的情况下，大的问题是反射的颜色。由于金属的独特光泽，会产生由外部光源引起的诸如眩目的可视性问题，因此，需要在金属表面上形成能够减少反射的附加层。在现有技术中作为暗化结构的诸如AlOxNy/Al的结构的情况下，尽管具有优异的特性，但是由于较低的生产率而产生缺点，本发明人引入了Cu基暗化结构。在使用电极层和基于Cu(具有比Al更低的比电阻值)的暗化层的情况下，用于满足制造触摸屏所需的表面电阻的薄膜的厚度可以更小，特别地，在溅射过程中，由于Cu材料具有比Al高约三倍的优异的溅射效率值，因此，理论上，沉积速率可以提高约三倍。Cu电极也可以利用Cu氧化物来变黑，并且Cu电极层可以通过物理沉积方法和化学沉积方法形成，CuO也可以通过诸如直接溅射方法、反应溅射方法、蒸发沉积方法等的方法来形成。然而，当使用Cu氧化物作为暗化层的材料时，在保持高温和高湿的情况下观察到Cu暗化结构的变色，因此，作为初衷的金属的暗化功能劣化，终，会引起触摸屏的可视性问题。此外，在后处理如膜的热处理以及电极丝附加工艺中所产生的高温过程等中，会引起稳定性问题。因此，本申请提供一种导电结构体，该导电结构体可以与使用常规ITO类透明导电薄膜层的触摸屏面板不同，并且可以应用于具有改善的金属精细图案电极的遮蔽性能以及对外部光的反射和衍射性能的触摸屏面板。另外，本申请提供一种导电结构体及其制造方法，所述制造方法能够克服使用O2的常规反应溅射方法的较低的生产率、在高温和高湿度下的变色问题等。根据本申请的一个示例性实施方案的导电结构体的制造方法包括：在基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成暗化层，其中，所述暗化层的形成通过使用CO2的反应溅射来进行。另外，根据本申请的另一示例性实施方案的导电结构体的制造方法包括：在基板上形成暗化层；以及在所述暗化层上形成金属层，其中，所述暗化层的形成通过使用CO2的反应溅射来进行。在这种情况下，所述制造方法还可以包括在金属层上形成暗化层。在本申请中，暗化层指能够通过吸收来减少入射到金属层本身的光的量和从金属层反射的光的量的层，暗化层可以用术语吸收层、吸光层、黑化层、暗色层等来表示。在本申请中，暗化层可以包含选自金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的至少一种，但是不限于此。在这种情况下，所述金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物可以包含选自Fe、Co、Ti、V、Al、Au、Cu和Ag中的至少一种金属，但是不限于此。根据本申请的示例性实施方案，除了上述金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物之外，暗化层可以另外包含诸如SiO、SiO2、MgF2和SiNx(x为1以上的整数)的介电材料。特别地，暗化层可以包含(CuOx)aCb，在这种情况下，x可以在0<x≤1的范围内，a+b＝1，b可以在0<b≤0.1的范围内。在根据本申请的导电结构体的制造方法中，暗化层利用使用CO2的反应溅射来形成，结果，与暗化层利用使用O2的常规反应溅射来形成的情况相比，可以通过抑制高温变性来提供一种稳定的暗化层，并且在沉积速率方面也可以提供一种改进的工艺。根据本申请的导电结构体的制造方法，当形成暗化层时，反应溅射可以通过同时注入CO2和Ar来进行。在这种情况下，CO2的分压可以为66％以上、80％以上和90％以上，但是不限于此。此外，在暗化层中，可以含有少量的C，更特别地，暗化层中C的含量可以小于0.3重量％，但是不限于此。在本申请中，基板可以使用透明基板，并且没有特别地限制，例如，基板可以使用玻璃、塑料基板、塑料膜等。在本申请中，金属层的材料可以是具有优异导电性且易于蚀刻的金属材料。然而，通常，具有优异导电性的材料具有反射率高的缺点。然而，在本申请中，通过使用具有较高反射率的材料，使用暗化层来形成金属层。在本申请中，即使在使用反射率为70至80％以上的材料的情况下，也可以添加暗化层来降低反射率、改善金属层的遮蔽性，并且保持或改善对比度特性。金属层的材料的具体实例可以是含有铜、铝、银、钕、钼、镍和它们的合金中的至少一种的单层或多层，更优选地为铜或铝的单层或多层，但是不限于此。另外，金属层和暗化层可以包含不同的金属原子，也可以包含相同的金属原子。在本申请中，金属层的形成可以使用本领域中已知的方法进行。例如，金属层可以通过诸如直接溅射方法、反应溅射方法、蒸发沉积方法等的方法形成，但是不限于此。在本申请中，可以另外包括分别地或同时地使金属层和暗化层图案化的过程。换言之，在根据本申请的示例性实施方案的导电结构体的制造方法中，在基板上形成金属层，通过使金属层图案化来形成金属图案，然后可以在金属图案上形成暗化层或暗化图案。此外，在根据本申请的另一示例性实施方案的导电结构体的制造方法中，在基板上形成金属层，在金属层上形成暗化层，然后通过同时使金属层和暗化层图案化，可以形成金属图案和暗化图案。另外，在根据本申请的示例性实施方案的导电结构体的制造方法中，在基板上形成暗化层，通过使暗化层图案化来形成暗化图案，然后可以在暗化图案上形成金属层或金属图案。此外，在根据本申请的另一示例性实施方案的导电结构体的制造方法中，在基板上形成暗化层，在暗化层上形成金属层，然后通过同时使金属层和暗化层图案化，可以形成金属图案和暗化图案。在本申请中，金属图案的线宽可以大于0μm且为10μm以下，特别地为0.1μm以上且为10μm以下，更特别地为0.2μm以上且为8μm以下，还更特别地为0.5μm以上且为5μm以下。在本申请中，金属图案的开口率，即，未被图案覆盖的面积比例可以为70％以上、85％以上和95...